MICT-V 手持式智能電導鹽密測試儀

MICT-V 手持式智能電導鹽密測試儀

產品簡介

MICT-V 手持式智能電導鹽密測試儀用于電力系統防污閃檢測，是測量絕緣子表面等值附鹽密度（以下簡稱“鹽密"）的專用測量儀器，同時還可以測量溶液的電導率和溫度。整機以其測量精度高、測量范圍大、使用方便等特點廣泛地應用于電力、教學、科研及其它相關行業。
污穢等級的劃分和污穢等級分布圖的繪制是防污閃工作的基礎，準確的污穢等級分布圖是選擇輸、變電設備電瓷外絕緣爬距的依據。絕緣子表面等值附鹽密度值是判斷電瓷外絕緣污穢狀況嚴重程度的定量數據，是劃分污穢等級和繪制污區圖的重要依據之一。因此，鹽密測量工作對電力系統安全運行有著重要的意義。
參照標準：
GB/T16434 – 1996《高壓架空線路和發電廠、變電所環境污穢分級及外絕緣選擇標準》
GB/T16434-200X《污穢條件下高壓絕緣子的選擇和尺寸確定第1部分：定義、信息和一般原則》
Q/GDW152-2006《高壓架空線路和發電廠、變電所環境污區分級及外絕緣選擇標準》

相關術語：
1、參照盤形懸式絕緣子 reference cap and pin insulator
  XP-70、XP-160、LXP-70和LXP-160普通盤形懸式絕緣子（根據GB/T 7253），通常7~9片組成一串用來測量現場污穢度。
2、爬電距離 creepage distance
  在兩個導電部分之間，沿絕緣體表面的短距離。
  注：水泥或其他非絕緣膠合材料表面不認為是爬電距離的構成部分。如果絕緣子的絕緣件的某些部分覆蓋有高電阻層，則該部分應認為是有效絕緣表面并且沿其上面的距離應包括在爬電距離內。
3、統一爬電比距 unified specific creepage distance（USCD）
  絕緣子的爬電距離與其兩端承擔的高運行電壓（對于交流系統，為高相電壓）之比，mm/kV。
4、附鹽密度 salt deposit density（SDD）
  人工涂覆于給定絕緣子表面（不包括金屬部件和裝配材料）上氯化鈉總量除以表面積，mg/cm2。
5、等值附鹽密度 equivalent salt deposit density（ESDD）
  絕緣子單位絕緣表面上的等值附鹽量，mg/cm2。
6、不溶物密度（簡稱灰密） non soluble deposit density（NSDD）
  絕緣子單位絕緣表面上清洗的非可溶殘留物總量除以表面積，mg/cm2。
7、現場等值鹽度 site equivalent salinity（SES）
  根據GB/T 4585進行鹽霧試驗時的鹽度。用該鹽度試驗，在相同絕緣子和相同電壓下，產生的泄露電流峰值與現場自然污穢條件下的泄露電流基本相同。
8、現場污穢度 site pollution severity（SPS）
  在適當的時間段內測量到的污穢嚴重程度ESDD/NSDD或SES的大值。
9、現場污穢度等級 site pollution severity class
  將污穢嚴重程度從非常輕到非常嚴重按SPS的分級。
10、帶電系數K1 energy coefficient K1
  同形式絕緣子帶電所測ESDD/NSDD（SES）值與非帶電所測ESDD/NSDD（SES）值之比，K1一般為1.1~1.5。

產品別稱

手持式智能電導鹽密測試儀，智能電導鹽密測試儀

產品特征

1、具有量程自動切換功能，測量速度快（2s/次）。
2、測量范圍大，鹽密范圍0.0001mg/cm2～9.9999mg/cm2。
3、中英文界面可自主切換。
4、采用2.8寸真彩液晶屏幕。
5、可直接顯示鹽密度、污穢等級、統一爬電比距。
6、自動進行溫度補償，直接顯示20℃時的標準電導率和等值附鹽（ESDD）；
7、具有自動祛除原溶液含鹽量的功能，降低了對清洗液的要求。
8、自動將不帶電測量的鹽密度（ESDD）轉換為帶電測量的鹽密度（ESDD）。
9、可存儲10萬組記錄，并可將記錄保存至SD卡在電腦上讀取。
10、可查閱、刪除單條記錄，也可刪除所有記錄。
11、內置大容量充電鋰電池（2600mAh），適合野外現場使用。

參數

1、測量范圍：
鹽密：0.0001mg/cm2～9.9999mg/cm2（按X-4.5型絕緣子為準）
測量溫度：0℃～100℃
測量電導率：0～200000μs/cm
2、基本誤差：
測量鹽密：分辨率0.0001 mg/cm2
滿量程精度：±2%
測量溫度：分辨率0.1℃，精度±0.5℃
測量電導率：分辨率0.01μs/cm
3、環境溫度：0℃～60℃。
4、環境濕度:<90%。
5、體積與重量
手持主機尺寸：長210mm*寬100mm*厚36mm。
整機機箱尺寸：長335mm*寬260mm*高130mm。
手持主機重量：約0.5Kg。
整機重量：約2.5Kg。